MOSFET DiodesZetex DMP21D6UFD-7, VDSS 20 V, ID 600 mA, X1-DFN1212 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
X1-DFN1212
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
Disipación de Potencia Máxima
800 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Longitud:
1.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0.8 nC @ 8V
Profundidad
1.25mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.48mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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$ 76
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 90,44
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | $ 76 | $ 228.000 |
| 9000 - 12000 | $ 73 | $ 219.000 |
| 15000+ | $ 70 | $ 210.000 |
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
X1-DFN1212
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
Disipación de Potencia Máxima
800 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Longitud:
1.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0.8 nC @ 8V
Profundidad
1.25mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.48mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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1.2V
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