Memoria flash, CFI, Paralelo S29GL256P90TFIR10 256Mbit, 16M x 16 bits, 90ns, TSOP, 56 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
256Mbit
Tipo de Interfaz
CFI, Paralelo
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
56
Organización
16M x 16 bits
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NI
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
3 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Longitud
18.5mm
Altura
1.05mm
Profundidad
14.1mm
Dimensiones
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Número de Bits de Palabra
16bit
Número de Palabras
16M
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
90ns
Datos del producto
Memoria Flash Con Tecnología Mirrorbit, Cypress Semiconductor (Spansion)
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
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Tipo de Encapsulado
TSOP
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56
Organización
16M x 16 bits
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NI
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
3 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Longitud
18.5mm
Altura
1.05mm
Profundidad
14.1mm
Dimensiones
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Número de Bits de Palabra
16bit
Número de Palabras
16M
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
90ns
Datos del producto
Memoria Flash Con Tecnología Mirrorbit, Cypress Semiconductor (Spansion)
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