Memoria flash, CFI, Paralelo S29GL064N90TFI010 64Mbit, 4M x 16 bits, 8M x 8 bits, 90ns, TSOP, 56 pines

Código de producto RS: 125-4878Marca: Cypress SemiconductorNúmero de parte de fabricante: S29GL064N90TFI010
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Cypress Semiconductor

Tamaño de la Memoria

64Mbit

Tipo de Interfaz

CFI, Paralelo

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

56

Organización

4M x 16 bit, 8M x 8 bit

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Célula

NI

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Longitud

18.5mm

Altura

1.05mm

Profundidad

12.1mm

Dimensiones del Cuerpo

18.5 x 12.1 x 1.05mm

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

90ns

Número de Palabras

4M, 8M

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Número de Bits de Palabra

8 bit, 16 bit

Temperatura máxima de funcionamiento

+85 °C.

Datos del producto

Memoria Flash NOR en paralelo, Cypress Semiconductor

Altas prestaciones
Acceso aleatorio rápido y ancho de banda alto

Flash Memory

FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.

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P.O.A.

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Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

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56

Organización

4M x 16 bit, 8M x 8 bit

Tipo de montaje

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Tipo de Célula

NI

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2.7 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

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Longitud

18.5mm

Altura

1.05mm

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Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

90ns

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4M, 8M

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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