Memoria FRAM Cypress Semiconductor FM25CL64B-GA, 8 pines, SOIC, SPI, 64kbit, 8K x 8 bits, 3 V a 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
64kbit
Organización
8K x 8 bits
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Conteo de Pines
8
Dimensiones
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Longitud:
4.97mm
Ancho
3.98mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1.48mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Número de Palabras
8K
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
3 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Datos del producto
F-RAM de Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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P.O.A.
2
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Especificaciones
Tamaño de la Memoria
64kbit
Organización
8K x 8 bits
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Conteo de Pines
8
Dimensiones
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Longitud:
4.97mm
Ancho
3.98mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1.48mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Número de Palabras
8K
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
3 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Datos del producto
F-RAM de Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.