Fotodiodo de silicio ams OSRAM SFH, IR, λ sensibilidad máx. 900nm, mont. pasante, encapsulado T-1 3/4 de 2 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ams OSRAMEspectros Detectados
Infrarrojo
Spectrum(s) Detected
Infrared
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
900nm
Encapsulado
T-1 3/4
Tipo de montaje
Through Hole
Función de amplificador
No
Number of Pins
1
Material del Diodo
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
750nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Tiempo de Bajada Típico
0.005µs
Longitud
5.9mm
Profundidad
5mm
Altura
9mm
Fotosensibilidad de Pico
0.65A/W
Polarity
Forward
Serie
SFH
Typical Rise Time
0.005µs
Datos del producto
Fotodiodo PIN - Encapsulado T-1 3/4 (5 mm)
Esta familia de fotodiodos PIN, de OSRAM Opto Semiconductors, se suministra en encapsulados de orificio pasante T-1 3/4 (5 mm) estándar. Tienen un área sensible a la radiación de 1 x 1 mm². Los fotodiodos de encapsulado T-1 3/4 ofrecen un tiempo de conmutación corto. Las aplicaciones adecuadas incluyen fotointerruptores de alta velocidad, electrónica industrial y circuitos de control y accionamiento.
IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors
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Cada Uno (En una Bolsa de 1000) (Sin IVA)
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T-1 3/4
Tipo de montaje
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No
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1
Material del Diodo
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
750nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Tiempo de Bajada Típico
0.005µs
Longitud
5.9mm
Profundidad
5mm
Altura
9mm
Fotosensibilidad de Pico
0.65A/W
Polarity
Forward
Serie
SFH
Typical Rise Time
0.005µs
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Fotodiodo PIN - Encapsulado T-1 3/4 (5 mm)
Esta familia de fotodiodos PIN, de OSRAM Opto Semiconductors, se suministra en encapsulados de orificio pasante T-1 3/4 (5 mm) estándar. Tienen un área sensible a la radiación de 1 x 1 mm². Los fotodiodos de encapsulado T-1 3/4 ofrecen un tiempo de conmutación corto. Las aplicaciones adecuadas incluyen fotointerruptores de alta velocidad, electrónica industrial y circuitos de control y accionamiento.
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