Módulo IGBT, VS-GT140DA60U, N-Canal, 184 A, 600 V, SOT-227, 4-Pines, 30kHz Simple

Código de producto RS: 748-1071Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: VS-GT140DA60U
brand-logo
Ver todo de IGBT

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Corriente Máxima Continua del Colector

184 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

577 W

Tipo de Encapsulado

SOT-227

Configuration

Single

Tipo de montaje

Panel Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

4

Velocidad de Conmutación

30kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiones

38.3 x 25.7 x 12.3mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Datos del producto

Módulos IGBT, Vishay

Los módulos de alta eficiencia IGBT de Vishay se suministran con una selección de tecnologías de PT, NPT y Trench IGBT. La gama incluye interruptores sencillos, inversores, choppers, medios puentes o configuraciones personalizadas. Estos módulos IGBT están diseñados para utilizarse como un dispositivo principal de conmutación en fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación ininterrumpidas, soldadura industrial, controladores de motores y sistemas de corrección de factor de potencia.

Entre las aplicaciones típicas se incluyen convertidores de reducción y elevación, convertidores directos y directos dobles, medios puentes, puentes completos (puente H) y puentes trifásicos.

Amplia gama de tipos de encapsulados estándar del sector
Montaje directo sobre disipador de calor
Selección de tecnologías PT, NPT y Trench IGBT
IGBT de VCE(on) bajo
Frecuencia de conmutación de 1 kHz a 150 kHz
Rendimiento resistente de transitorios
Alta tensión de aislamiento hasta 3500 V
100% sin plomo (Pb) y en conformidad con RoHS
Resistencia térmica baja
Rango de temperaturas de funcionamiento amplio (-40 °C a +175 °C)

IGBT Modules, Vishay

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

$ 80.589

Each (Sin IVA)

$ 95.901

Each (IVA Incluido)

Módulo IGBT, VS-GT140DA60U, N-Canal, 184 A, 600 V, SOT-227, 4-Pines, 30kHz Simple
Seleccionar tipo de embalaje

$ 80.589

Each (Sin IVA)

$ 95.901

Each (IVA Incluido)

Módulo IGBT, VS-GT140DA60U, N-Canal, 184 A, 600 V, SOT-227, 4-Pines, 30kHz Simple
Volver a intentar más tarde
Seleccionar tipo de embalaje

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 1$ 80.589
2 - 4$ 72.524
5 - 9$ 64.474
10 - 24$ 58.834
25+$ 52.377

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Corriente Máxima Continua del Colector

184 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

577 W

Tipo de Encapsulado

SOT-227

Configuration

Single

Tipo de montaje

Panel Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

4

Velocidad de Conmutación

30kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiones

38.3 x 25.7 x 12.3mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Datos del producto

Módulos IGBT, Vishay

Los módulos de alta eficiencia IGBT de Vishay se suministran con una selección de tecnologías de PT, NPT y Trench IGBT. La gama incluye interruptores sencillos, inversores, choppers, medios puentes o configuraciones personalizadas. Estos módulos IGBT están diseñados para utilizarse como un dispositivo principal de conmutación en fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación ininterrumpidas, soldadura industrial, controladores de motores y sistemas de corrección de factor de potencia.

Entre las aplicaciones típicas se incluyen convertidores de reducción y elevación, convertidores directos y directos dobles, medios puentes, puentes completos (puente H) y puentes trifásicos.

Amplia gama de tipos de encapsulados estándar del sector
Montaje directo sobre disipador de calor
Selección de tecnologías PT, NPT y Trench IGBT
IGBT de VCE(on) bajo
Frecuencia de conmutación de 1 kHz a 150 kHz
Rendimiento resistente de transitorios
Alta tensión de aislamiento hasta 3500 V
100% sin plomo (Pb) y en conformidad con RoHS
Resistencia térmica baja
Rango de temperaturas de funcionamiento amplio (-40 °C a +175 °C)

IGBT Modules, Vishay

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.