Módulo IGBT, VS-CPV364M4UPBF, Colector común, 20 A, 600 V, N-Canal, IMS-2, 13-Pines Trifásico

Código de producto RS: 700-4400PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: VS-CPV364M4UPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Corriente Máxima Continua del Colector

20 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Tipo de Encapsulado

IMS-2

Configuration

Colector común

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

13

Transistor Configuration

3 Phase

Dimensiones del Cuerpo

62.43 x 7.87 x 21.97mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-40 ºC

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Datos del producto

Módulos IGBT, Vishay

Los módulos de alta eficiencia IGBT de Vishay se suministran con una selección de tecnologías de PT, NPT y Trench IGBT. La gama incluye interruptores sencillos, inversores, choppers, medios puentes o configuraciones personalizadas. Estos módulos IGBT están diseñados para utilizarse como un dispositivo principal de conmutación en fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación ininterrumpidas, soldadura industrial, controladores de motores y sistemas de corrección de factor de potencia.

Entre las aplicaciones típicas se incluyen convertidores de reducción y elevación, convertidores directos y directos dobles, medios puentes, puentes completos (puente H) y puentes trifásicos.

Amplia gama de tipos de encapsulados estándar del sector
Montaje directo sobre disipador de calor
Selección de tecnologías PT, NPT y Trench IGBT
IGBT de VCE(on) bajo
Frecuencia de conmutación de 1 kHz a 150 kHz
Rendimiento resistente de transitorios
Alta tensión de aislamiento hasta 3500 V
100% sin plomo (Pb) y en conformidad con RoHS
Resistencia térmica baja
Rango de temperaturas de funcionamiento amplio (-40 °C a +175 °C)

IGBT Modules, Vishay

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

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Vishay

Corriente Máxima Continua del Colector

20 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Tipo de Encapsulado

IMS-2

Configuration

Colector común

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

13

Transistor Configuration

3 Phase

Dimensiones del Cuerpo

62.43 x 7.87 x 21.97mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-40 ºC

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Datos del producto

Módulos IGBT, Vishay

Los módulos de alta eficiencia IGBT de Vishay se suministran con una selección de tecnologías de PT, NPT y Trench IGBT. La gama incluye interruptores sencillos, inversores, choppers, medios puentes o configuraciones personalizadas. Estos módulos IGBT están diseñados para utilizarse como un dispositivo principal de conmutación en fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación ininterrumpidas, soldadura industrial, controladores de motores y sistemas de corrección de factor de potencia.

Entre las aplicaciones típicas se incluyen convertidores de reducción y elevación, convertidores directos y directos dobles, medios puentes, puentes completos (puente H) y puentes trifásicos.

Amplia gama de tipos de encapsulados estándar del sector
Montaje directo sobre disipador de calor
Selección de tecnologías PT, NPT y Trench IGBT
IGBT de VCE(on) bajo
Frecuencia de conmutación de 1 kHz a 150 kHz
Rendimiento resistente de transitorios
Alta tensión de aislamiento hasta 3500 V
100% sin plomo (Pb) y en conformidad con RoHS
Resistencia térmica baja
Rango de temperaturas de funcionamiento amplio (-40 °C a +175 °C)

IGBT Modules, Vishay

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.