MOSFET Vishay IRFD210PBF, VDSS 200 V, ID 600 mA, HVMDIP de 4 pines, config. Simple

Código de producto RS: 541-0531Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: IRFD210PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-160 V

Tipo de Encapsulado

HVMDIP

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

1000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5mm

Profundidad

6.29mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,2 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

3.37mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 307

Each (Sin IVA)

$ 365

Each (IVA Incluido)

MOSFET Vishay IRFD210PBF, VDSS 200 V, ID 600 mA, HVMDIP de 4 pines, config. Simple

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 307
2$ 614
3$ 921
4$ 1.228
5$ 1.535
6$ 1.842
7$ 2.149
8$ 2.456
9$ 2.763
10$ 3.070
11$ 3.377
12$ 3.684
13$ 3.991
14$ 4.298
15$ 4.605

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N

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4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

1000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5mm

Profundidad

6.29mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,2 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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