MOSFET Vishay IRFD120PBF, VDSS 100 V, ID 1,3 A, HVMDIP de 4 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5mm
Ancho
6.29mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
3.37mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Each (Sin IVA)
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| 10 - 49 | $ 1.563 |
| 50 - 99 | $ 1.461 |
| 100 - 249 | $ 1.300 |
| 250+ | $ 1.169 |
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4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5mm
Ancho
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Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
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Altura
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