Fototransistor NPN Vishay sensible a IR, luz visible, rango onda λ 450 → 1080 nm, corriente Ic 50mA, mont.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayEspectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Tiempo de Bajada Típico
2.3µs
Typical Rise Time
2µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
8000µA
Corriente de Oscuridad Máxima
200nA
Ángulo de Sensibilidad Media
50 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Montaje en orificio pasante
Encapsulado
3 mm (T-1)
Dimensiones del Cuerpo
3.4 x 3.4 x 4.5mm
Corriente del Colector
50mA
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Ancho
3.4mm
Altura
4.5mm
Longitud:
3.4mm
Datos del producto
Fototransistores serie BPW85
La serie BPW85 de Vishay Semiconductor es una familia de fototransistores NPN de silicio. Se suministran en encapsulados de plástico estándar de 3 mm (T-1) con una cúpula transparente. Los fototransistores BPW85 son sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. La serie BPW85, que incluye BPW85, BPW85A, BPW85B y BPW85C, es ideal para detectores en aplicaciones de circuitos de accionamiento y control electrónico.
Características de los fototransistores BPW85:
Encapsulado de 3 mm (T-1)
Montaje de orificio pasante
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: 25 °
Temperatura de funcionamiento: -40 a +100 °C
IR Phototransistors, Vishay Semiconductor
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infrarrojo, Luz Visible
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2.3µs
Typical Rise Time
2µs
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1
Maximum Light Current
8000µA
Corriente de Oscuridad Máxima
200nA
Ángulo de Sensibilidad Media
50 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Montaje en orificio pasante
Encapsulado
3 mm (T-1)
Dimensiones del Cuerpo
3.4 x 3.4 x 4.5mm
Corriente del Colector
50mA
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Ancho
3.4mm
Altura
4.5mm
Longitud:
3.4mm
Datos del producto
Fototransistores serie BPW85
La serie BPW85 de Vishay Semiconductor es una familia de fototransistores NPN de silicio. Se suministran en encapsulados de plástico estándar de 3 mm (T-1) con una cúpula transparente. Los fototransistores BPW85 son sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. La serie BPW85, que incluye BPW85, BPW85A, BPW85B y BPW85C, es ideal para detectores en aplicaciones de circuitos de accionamiento y control electrónico.
Características de los fototransistores BPW85:
Encapsulado de 3 mm (T-1)
Montaje de orificio pasante
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: 25 °
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