Fototransistor NPN Vishay sensible a IR, luz visible, rango onda λ 450 → 1080 nm, corriente Ic 50mA, mont.

Código de producto RS: 708-2829Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: BPW85B
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Espectros Detectados

infrarrojo, Luz Visible

Tiempo de Bajada Típico

2.3µs

Typical Rise Time

2µs

Number of Channels

1

Maximum Light Current

4000µA

Corriente de Oscuridad Máxima

200nA

Ángulo de Sensibilidad Media

50 °

Polarity

NPN

Number of Pins

1

Tipo de montaje

Montaje en orificio pasante

Encapsulado

3 mm (T-1)

Dimensiones del Cuerpo

3.4 x 3.4 x 4.5mm

Corriente del Colector

50mA

Mínima Longitud de Onda Detectada

450nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1080nm

Rango Espectral de Sensibilidad

450 → 1080 nm

Altura

4.5mm

Longitud:

3.4mm

Profundidad

3.4mm

Datos del producto

Fototransistores serie BPW85

La serie BPW85 de Vishay Semiconductor es una familia de fototransistores NPN de silicio. Se suministran en encapsulados de plástico estándar de 3 mm (T-1) con una cúpula transparente. Los fototransistores BPW85 son sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. La serie BPW85, que incluye BPW85, BPW85A, BPW85B y BPW85C, es ideal para detectores en aplicaciones de circuitos de accionamiento y control electrónico.

Características de los fototransistores BPW85:
Encapsulado de 3 mm (T-1)
Montaje de orificio pasante
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: 25 °
Temperatura de funcionamiento: -40 a +100 °C

IR Phototransistors, Vishay Semiconductor

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$ 511

Cada Uno (En una Bolsa de 10) (Sin IVA)

$ 608,09

Cada Uno (En una Bolsa de 10) (IVA Incluido)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Bolsa
10 - 90$ 511$ 5.110
100 - 240$ 501$ 5.010
250 - 490$ 405$ 4.050
500 - 990$ 378$ 3.780
1000+$ 307$ 3.070

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Maximum Light Current

4000µA

Corriente de Oscuridad Máxima

200nA

Ángulo de Sensibilidad Media

50 °

Polarity

NPN

Number of Pins

1

Tipo de montaje

Montaje en orificio pasante

Encapsulado

3 mm (T-1)

Dimensiones del Cuerpo

3.4 x 3.4 x 4.5mm

Corriente del Colector

50mA

Mínima Longitud de Onda Detectada

450nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1080nm

Rango Espectral de Sensibilidad

450 → 1080 nm

Altura

4.5mm

Longitud:

3.4mm

Profundidad

3.4mm

Datos del producto

Fototransistores serie BPW85

La serie BPW85 de Vishay Semiconductor es una familia de fototransistores NPN de silicio. Se suministran en encapsulados de plástico estándar de 3 mm (T-1) con una cúpula transparente. Los fototransistores BPW85 son sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. La serie BPW85, que incluye BPW85, BPW85A, BPW85B y BPW85C, es ideal para detectores en aplicaciones de circuitos de accionamiento y control electrónico.

Características de los fototransistores BPW85:
Encapsulado de 3 mm (T-1)
Montaje de orificio pasante
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: 25 °
Temperatura de funcionamiento: -40 a +100 °C

IR Phototransistors, Vishay Semiconductor