Fototransistor NPN Vishay sensible a IR, luz visible, rango onda λ 450 → 1080 nm, corriente Ic 50mA, mont.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayEspectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Spectrum(s) Detected
Infrared, Visible Light
Tiempo de Bajada Típico
5µs
Typical Rise Time
6µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
20000µA
Corriente de Oscuridad Máxima
100nA
Ángulo de Sensibilidad Media
20 °
Polarity
NPN
Number of Pins
3
Tipo de montaje
Montaje en orificio pasante
Encapsulado
TO-18
Dimensiones del Cuerpo
5.5 x 5.5 x 6.15mm
Corriente del Colector
50mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Longitud:
5.5mm
Ancho
5.5mm
Altura
6.15mm
Datos del producto
Fototransistores series BPW77NA y BPW77NB
Las series BPW77NA y BPW77NB de Vishay Semiconductor son una familia de fototransistores NPN de silicio. Están ubicados en encapsulados TO-18 herméticamente sellados con una lente de cristal. Los fototransistores BPW77NA y BPW77NB son sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. Son ideales para el uso como detectores en circuitos de control y accionamiento electrónicos.
Características de los fototransistores BPW77NA y BPW77NB:
Encapsulado TO-18
4,7 mm de diámetro
Montaje en orificio pasante
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Temperatura de funcionamiento: -40 a +125 °C
IR Phototransistors, Vishay Semiconductor
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5µs
Typical Rise Time
6µs
Number of Channels
1
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20000µA
Corriente de Oscuridad Máxima
100nA
Ángulo de Sensibilidad Media
20 °
Polarity
NPN
Number of Pins
3
Tipo de montaje
Montaje en orificio pasante
Encapsulado
TO-18
Dimensiones del Cuerpo
5.5 x 5.5 x 6.15mm
Corriente del Colector
50mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Longitud:
5.5mm
Ancho
5.5mm
Altura
6.15mm
Datos del producto
Fototransistores series BPW77NA y BPW77NB
Las series BPW77NA y BPW77NB de Vishay Semiconductor son una familia de fototransistores NPN de silicio. Están ubicados en encapsulados TO-18 herméticamente sellados con una lente de cristal. Los fototransistores BPW77NA y BPW77NB son sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. Son ideales para el uso como detectores en circuitos de control y accionamiento electrónicos.
Características de los fototransistores BPW77NA y BPW77NB:
Encapsulado TO-18
4,7 mm de diámetro
Montaje en orificio pasante
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
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