Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayEspectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Tiempo de Bajada Típico
5µs
Typical Rise Time
4.8µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
1000µA
Corriente de Oscuridad Máxima
200nA
Ángulo de Sensibilidad Media
24 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Montaje en orificio pasante
Encapsulado
T-3/4
Dimensiones del Cuerpo
3.3 x 2.4 x 2.9mm
Corriente del Colector
50mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
1040nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1040 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Longitud
3.3mm
Profundidad
2.4mm
Altura
2.9mm
Datos del producto
Fototransistores serie BPW17N
La serie BPW17N, de Vishay Semiconductor, consiste en fototransistores NPN de silicio sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. Se suministran en encapsulados de orificio pasante de 1,8 mm (T-3/4) estándar. Los fototransistores BPW17N tienen una lente de plástico transparente con una parte superior plana. Los detectores en circuitos de accionamiento y control electrónico son aplicaciones ideales para los fototransistores BPW17N.
Características de los fototransistores BPW17N:
1,8 mm (T-3/4 encapsulado)
Montaje de orificio pasante
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
IR Phototransistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
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Especificaciones
Brand
VishayEspectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Tiempo de Bajada Típico
5µs
Typical Rise Time
4.8µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
1000µA
Corriente de Oscuridad Máxima
200nA
Ángulo de Sensibilidad Media
24 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Montaje en orificio pasante
Encapsulado
T-3/4
Dimensiones del Cuerpo
3.3 x 2.4 x 2.9mm
Corriente del Colector
50mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
1040nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1040 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Longitud
3.3mm
Profundidad
2.4mm
Altura
2.9mm
Datos del producto
Fototransistores serie BPW17N
La serie BPW17N, de Vishay Semiconductor, consiste en fototransistores NPN de silicio sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. Se suministran en encapsulados de orificio pasante de 1,8 mm (T-3/4) estándar. Los fototransistores BPW17N tienen una lente de plástico transparente con una parte superior plana. Los detectores en circuitos de accionamiento y control electrónico son aplicaciones ideales para los fototransistores BPW17N.
Características de los fototransistores BPW17N:
1,8 mm (T-3/4 encapsulado)
Montaje de orificio pasante
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos