JFET, 2SK208-R(TE85L,F), N-Canal, 10 V, Único, SOT-346 (SC-59), 3-Pines Simple

Name: JFET, 2SK208-R(TE85L,F), N-Canal, 10 V, Único, SOT-346 (SC-59), 3-Pines Simple
Brand: Toshiba
SKU: 7603123P

Código de producto RS: 760-3123PMarca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: 2SK208-R(TE85L,F)

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

0.3 to 0.75mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

10 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-50V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-346 (SC-59)

Conteo de Pines

Dimensiones del Cuerpo

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Altura

1.1mm

Profundidad

1.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Temperatura máxima de funcionamiento

125 °C

Longitud:

2.9mm

Datos del producto

JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

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Brand

Toshiba

Tipo de Canal

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

0.3 to 0.75mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

10 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-50V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-346 (SC-59)

Conteo de Pines

Dimensiones del Cuerpo

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Altura

1.1mm

Profundidad

1.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Temperatura máxima de funcionamiento

125 °C

Longitud:

2.9mm

Datos del producto

JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.