MOSFET STMicroelectronics STD60NF55LT4, VDSS 55 V, ID 60 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
110000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud
6.6mm
Profundidad
6.2mm
Material del transistor
Si
Serie
STripFET II
Altura
2.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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P.O.A.
5
P.O.A.
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N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
110000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud
6.6mm
Profundidad
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Si
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