JFET, MMBFJ177LG, P-Canal, Único, SOT-23, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 773-7816PMarca: onsemiNúmero de parte de fabricante: MMBFJ177LT1G
brand-logo
Ver todo de JFET

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

P

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

1.5 to 20mA

Maximum Drain Gate Voltage

25V dc

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

300 Ω

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Conteo de Pines

3

Capacidad Fuente-Puerta

11pF

Dimensiones del Cuerpo

3.04 x 1.4 x 1.01mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

3.04mm

Altura

1.01mm

Profundidad

1.4mm

Datos del producto

JFET de canal P, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

JFET, MMBFJ177LG, P-Canal, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
Seleccionar tipo de embalaje

P.O.A.

JFET, MMBFJ177LG, P-Canal, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
Volver a intentar más tarde
Seleccionar tipo de embalaje

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

P

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

1.5 to 20mA

Maximum Drain Gate Voltage

25V dc

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

300 Ω

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Conteo de Pines

3

Capacidad Fuente-Puerta

11pF

Dimensiones del Cuerpo

3.04 x 1.4 x 1.01mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

3.04mm

Altura

1.01mm

Profundidad

1.4mm

Datos del producto

JFET de canal P, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más