MOSFET Nexperia NX3008CBKV,115, VDSS 30 V, ID 220 mA, 400 mA, SOT-666 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 816-0567Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: NX3008CBKV,115
brand-logo
Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Nexperia

Tipo de Canal

N, P

Maximum Continuous Drain Current

220 mA, 400 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-666

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,8 Ω, 7,8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

1.7mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,52 nC a 4,5 V, 0,55 nC a 4,5 V

Profundidad

1.3mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

0.6mm

País de Origen

Hong Kong

Datos del producto

MOSFET de canal N/P doble, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

$ 397

Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)

$ 472,43

Each (In a Pack of 50) (IVA Incluido)

MOSFET Nexperia NX3008CBKV,115, VDSS 30 V, ID 220 mA, 400 mA, SOT-666 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 19.850
100$ 39.700
150$ 59.550
200$ 79.400
250$ 99.250
300$ 119.100
350$ 138.950
400$ 158.800
450$ 178.650
500$ 198.500
550$ 218.350
600$ 238.200
650$ 258.050
700$ 277.900
750$ 297.750

$ 397

Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)

$ 472,43

Each (In a Pack of 50) (IVA Incluido)

MOSFET Nexperia NX3008CBKV,115, VDSS 30 V, ID 220 mA, 400 mA, SOT-666 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Volver a intentar más tarde
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 19.850
100$ 39.700
150$ 59.550
200$ 79.400
250$ 99.250
300$ 119.100
350$ 138.950
400$ 158.800
450$ 178.650
500$ 198.500
550$ 218.350
600$ 238.200
650$ 258.050
700$ 277.900
750$ 297.750

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Nexperia

Tipo de Canal

N, P

Maximum Continuous Drain Current

220 mA, 400 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-666

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,8 Ω, 7,8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

1.7mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,52 nC a 4,5 V, 0,55 nC a 4,5 V

Profundidad

1.3mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

0.6mm

País de Origen

Hong Kong

Datos del producto

MOSFET de canal N/P doble, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more