Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
170 mA, 330 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V, 60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-666
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,6 Ω, 13,5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,26 nC a 5 V, 0,5 nC a 4,5 V
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.6mm
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
170 mA, 330 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V, 60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-666
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,6 Ω, 13,5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,26 nC a 5 V, 0,5 nC a 4,5 V
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.6mm
Datos del producto