MOSFET Infineon IRF1010EPBF, VDSS 60 V, ID 84 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 541-1714Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF1010EPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

84 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Serie

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

200000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Longitud

10.54mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

130 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Ancho

4.69mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

8.77mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 1.914

Each (Sin IVA)

$ 2.278

Each (IVA Incluido)

MOSFET Infineon IRF1010EPBF, VDSS 60 V, ID 84 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 1.914
2$ 3.828
3$ 5.742
4$ 7.656
5$ 9.570
6$ 11.484
7$ 13.398
8$ 15.312
9$ 17.226
10$ 19.140
11$ 21.054
12$ 22.968
13$ 24.882
14$ 26.796
15$ 28.710

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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 24$ 1.914
25 - 99$ 1.008
100 - 249$ 979
250 - 499$ 964
500+$ 935

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N

Maximum Continuous Drain Current

84 A

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-60 V

Serie

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

200000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Longitud

10.54mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

130 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Ancho

4.69mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

8.77mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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