Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor HUF75343P3, VDSS 55 V, ID 75 A, TO-220AB de 3 pines

Código de producto RS: 294-9569Marca: Fairchild SemiconductorNúmero de parte de fabricante: HUF75343P3
brand-logo
Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

75 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

55 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

270 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

170 nC a 20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+175 °C

Longitud

10.67mm

Profundidad

4.83mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

9.65mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor HUF75343P3, VDSS 55 V, ID 75 A, TO-220AB de 3 pines

P.O.A.

Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor HUF75343P3, VDSS 55 V, ID 75 A, TO-220AB de 3 pines
Volver a intentar más tarde

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

75 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

55 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

270 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

170 nC a 20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+175 °C

Longitud

10.67mm

Profundidad

4.83mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

9.65mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more