Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor HUF75343P3, VDSS 55 V, ID 75 A, TO-220AB de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
270 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
170 nC a 20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud
10.67mm
Profundidad
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.65mm
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P.O.A.
1
P.O.A.
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
270 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
170 nC a 20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud
10.67mm
Profundidad
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.65mm